标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类

标准编号：GB/T 43493.1-2023

资源类别：国家标准

实施日期：2024 年 7 月 1 日

附件大小：6.61 MB

GB/T 43493.1-2023标准简介：

本文件给出了 4H-SiC ( 碳化硅 ) 同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（ OM )、光致发光（ P L)和X射线形貌 ( XRT ) 图像等无损检测方法进行识别。