标准名称：半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法

标准编号：GB/T 6616-2023

替代情况：替代 GB/T 6616-2009

资源类别：国家标准

实施日期：2024 年 3 月 1 日

附件大小：1.98 MB

GB/T 6616-2023标准简介：

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。

本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

本文件代替GB/T 6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》。